Jonctiunea p-n.
Intr-un cristal semiconductor, in care o parte contine impuritati acceptoare iar cealalta parte impuritati donoare se formeaza o regiune de tranzitie intre cele doua regiuni numita jonctiune p-n. In jonctiunea p-n se obtine o trecere de la conductia p la cea de tip n. Electronii din partea n difuzeaza in partea p unde intalnesc legaturi chimice nesatisfacute, goluri. Procesul prin care dintr-un electron liber si un gol se reface o legatura chimica se numeste recombinare. Recombinarea este insotita de degajare de energie. Ca urmare a difuziei electronilor in portiunea p initial neutra electric aceasta se incarca negativ, potentialul ei electric scade iar portiunea n initial neutra electric, ramane incarcata pozitiv, potentialul ei creste. Intre zonele n si p apare o diferenta de potential si un camp electric indreptat de la n la p care se opune deplasarii electronilor . Asadar, de o parte si de alta a jonctiunii p-n se formeaza o portiune de cristal saracita de purtatori liberi, numita strat de baraj.
Daca se aplica o tensiune exterioara continua pe jonctiune astfel incat polul pozitiv sa fie la partea p si polul negativ la partea n se constata ca prin jonctiune trece un curent electric a carui intensitate creste o data cu cresterea tensiunii aplicate; dar daca se inverseaza polaritatea tensiunii exterioare practic nu trece curent; de aceea jonctiunea p-n are proprietati redresoare ea mai numindu-se si dioda semiconductoare.
Diodele semiconductoare se pot intrebuinta pentru redresarea curentului alternativ. Mai jos va prezentam o schema de redresare cu patru diode asezate in punte.
Niciun comentariu:
Trimiteți un comentariu